，據(jù)國外媒體報道，原計劃建成之后采用22/28nm工藝為相關(guān)客戶代工晶圓的臺積電日本合資工廠，將增加12/16nm工藝，工廠的投資也將會有增加。

而在去年11月9日宣布在日本設(shè)立合資公司并建廠時，臺積電方面是預(yù)計全部資本支出約為70億美元，直接創(chuàng)造1500個高技術(shù)專業(yè)崗位。。

臺積電在日本設(shè)立合資公司并建設(shè)晶圓廠，是在去年的11月9日正式宣布的，合資公司名為日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造公司，設(shè)在熊本縣，與索尼半導(dǎo)體解決方案公司合資設(shè)立，索尼方面計劃投資約5億美元，獲得不超過20%的股份。不過具體的工藝指標(biāo)還沒公布，只知道還是GAA晶體管，跟3nm一樣基于MBCFET技術(shù)，這是一種納米片晶體管，可以垂直堆疊，而且兼容現(xiàn)在的CMOS工藝，共享設(shè)備與制造方法，降低了新技術(shù)的升級成本。

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