拓普康電池基本上是由PERC電池的基礎(chǔ)設(shè)施升級而來，兩者的主要區(qū)別在于鈍化層的制備在TOPCon中制備鈍化層的幾種技術(shù)路線中，主要有LPCVD，PECVD，PVD等其中PECVD方案具有成膜速度快，節(jié)能，運(yùn)行成本相對較低的優(yōu)勢，是預(yù)期差異相對較大的方向我們判斷PECVD路線有望在下半年應(yīng)用，相關(guān)設(shè)備公司有望顯著受益

TOPcon和PERC的主要區(qū)別在于鈍化層的制備拓普康電池基本上是由PERC電池的基礎(chǔ)設(shè)施升級而來，正面看兩者沒有本質(zhì)區(qū)別主要區(qū)別在于背面的鈍化接觸技術(shù)，即在電池背面制備一層超薄隧穿氧化硅，再沉積一層摻雜多晶硅，形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)除了參與鈍化層制備的設(shè)備不同，TOPCon和PERC其他環(huán)節(jié)的設(shè)備變化不大

核心進(jìn)程的多個(gè)路線是并行的目前主要有三條技術(shù)路線:LPCVD，PECVD，PVD，是拓普康電池制備的核心工藝，即鈍化接觸制備，其中LPCVD相對成熟，PECVD管是主要技術(shù)，依靠射頻感應(yīng)產(chǎn)生的等離子體實(shí)現(xiàn)薄膜沉積過程，具有成膜速度快，節(jié)能，運(yùn)行成本相對較低的優(yōu)點(diǎn)PVD計(jì)劃也值得期待

目前，LPCVD是制備鈍化層的主要技術(shù)路線，但PECVD預(yù)計(jì)會(huì)更差TOPCon還處于普及的初級階段，所以在隧道氧化層和多晶硅層的制備上有很多選擇LPCVD路線在解決了圓鍍問題后被廣泛使用，但熱壁沉積等問題會(huì)增加運(yùn)維成本PECVD路線目前不如LPCVD路線先進(jìn)，但潛力很大制備鈍化層的具體工藝取決于各個(gè)企業(yè)對不同技術(shù)路線的掌握程度

相關(guān)供應(yīng)商可以從大量的PECVD路線中顯著受益在晶科能源，駿達(dá)股份等公司率先采用LPCVD推進(jìn)拓普康大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化后，我們判斷PECVD下半年可能會(huì)有大規(guī)模應(yīng)用與PECVD相比，目前設(shè)備成本約為1.6—1.9億元/GW，其中PECVD設(shè)備總投資約為1.6—1.8億元/GW主要區(qū)別在于背膜沉積設(shè)備價(jià)值約為3500—5000萬元/GW，約占全線設(shè)備價(jià)值的20—30%其他設(shè)備的價(jià)值與LPCVD路線基本相同預(yù)計(jì)未來幾年電池設(shè)備年市場空間將超過120億元，PECVD路線的放量可能對相關(guān)供應(yīng)商產(chǎn)生重大影響

推薦關(guān)注:捷佳威創(chuàng)，海慕星，奧特威/迪爾激光，金晨，京山輕機(jī)，Robotec。

風(fēng)險(xiǎn):拓普康產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度不如預(yù)期，PECVD技術(shù)路線推進(jìn)不如預(yù)期。

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