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目前已經(jīng)成功制備出直徑2英寸的氧化鎵晶片

來源:IT之家 作者:樊華 發(fā)布時間:2022-05-08 18:28   閱讀量:4887   

最近幾天,在首席科學(xué)家楊德仁院士的帶領(lǐng)下,浙江大學(xué)杭州國際科技創(chuàng)新中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院發(fā)明了一種全新的熔體法,研制出氧化鎵塊狀單晶和晶片目前已經(jīng)成功制備出直徑2英寸的氧化鎵晶片

來自浙江大學(xué)杭州科技創(chuàng)新中心的消息稱,新技術(shù)路線生長的氧化鎵晶片有兩個明顯的優(yōu)勢第一,用這種方法生長的氧化鎵晶片的晶面是特定的,使得制造的功率器件具有更好的性能,其次,由于采用了新的熔融法路線,減少了貴金屬銥的使用,使得氧化鎵的生長過程不僅更加簡單可控,而且成本更低,具有更大的產(chǎn)業(yè)化前景

此外,該團(tuán)隊計劃在2年內(nèi)制造出直徑為4英寸的大尺寸氧化鎵晶片,這將進(jìn)一步幫助國內(nèi)氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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