碳化硅性能優異，代表先進生產力第三代半導體材料是指以碳化硅，氮化鎵為代表的寬帶隙半導體材料，具有擊穿電場高，熱導率高，電子飽和率高，抗輻射能力強等優點因此，由第三代半導體材料制成的半導體器件不僅可以在較高的溫度下穩定工作，還可以適用于高電壓，高頻率的場景，并且可以用較少的功耗獲得較高的工作能力

基板為核心，技術瓶頸逐步突破它是襯底碳化硅產業鏈的核心，一直供不應求，行業普遍在快速擴產根據田玉娥高級招股書引用的CASA Research，2019年，六家國際巨頭宣布了12個擴張項目襯底的生長方法主要有物理氣相傳輸，高溫化學氣相沉積等目前晶體制備最主要的難點在于生長條件苛刻，但生長速度很慢此外，制備良率也是業內普遍的難點之一SiC成品率低主要有兩個原因:生長出來的晶錠存在缺陷，切割過程中存在損耗

海外領先，國內趕超目前碳化硅襯底市場由海外廠商主導，國內企業市場份額較小在半絕緣市場，Erlu公司，Wolfspeed和田玉娥先進占據主要份額，在導電市場，柯睿是絕對的領導者

下游需求旺盛，空間+滲透率翻倍基于碳化硅的產業鏈主要包括碳化硅襯底材料的制備，外延層的生長，器件制造和下游應用市場碳化硅襯底主要分為半絕緣型和導電型在半絕緣領域，氮化鎵射頻器件正在通信宏基站，雷達和其他寬帶應用中取代LDMOS根據田玉娥高級招股書中引用的Yole，全球氮化鎵射頻器件市場預計將從2019年的7.4億美元增長到2025年的20億美元，年均復合增長率為18%

在導電領域，新能源汽車的快速增長將成為碳化硅行業近期增長的引擎。

投資建議:關注田玉娥先進和中瓷電子。

風險:產能擴張不及預期，行業景氣不及預期風險，技術研發風險。

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