為解決 SiC MOSFET 柵氧層界面質(zhì)量差導(dǎo)致溝道遷移率低，使得溝道開態(tài)電阻過高，能源轉(zhuǎn)換效率嚴(yán)重受限的技術(shù)瓶頸問題西安交通大學(xué)微電子學(xué)院耿莉教授，劉衛(wèi)華教授團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士共同合作，提出一種使用低溫超臨界二氧化碳 或超臨界一氧化二氮 流體的低溫退火工藝，以提高 4H—SiC MOSFET 中 4H—SiC / SiO2 界面的質(zhì)量

該研究成果不僅實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的 SiO2 / SiC 界面，高的溝道遷移率和介電可靠性，同時(shí)，提出的高效低溫退火工藝與標(biāo)準(zhǔn) SiC MOSFET 制造工藝兼容，為制備高性能 SiC MOSFET 器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件的制備。

聞泰科技12月9日在投資者互動平臺表示，安世是全球分立器件IDM龍頭廠商之一，在中國功率分立器件公司中排名第MOSFET是公司重要產(chǎn)品類型之一，其中，車規(guī)Mos全球市場排名第2，僅次于英飛凌，小信號Mos全球排名第2，僅次安森美。可以看出，公司Mos產(chǎn)品性能突出，市場占有率高，也因產(chǎn)品的高品質(zhì)，超低不良率成為業(yè)界標(biāo)桿，成為全球各領(lǐng)域眾多頂尖客戶的首選供應(yīng)商。從業(yè)績來看，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上半年收入為673億元，同比增長525%，業(yè)務(wù)毛利率為306%，實(shí)現(xiàn)凈利潤110億元，同比增長2352%，其中Mos也實(shí)現(xiàn)了快速增長。從行業(yè)層面來看，公司的Mos產(chǎn)品在汽車上應(yīng)用非常廣泛，比如應(yīng)用在車身控制，電池管理，引擎管理，LED照明等多個(gè)方面，汽車電動化與智能化趨勢都將給安世產(chǎn)品帶來更大的市場空間。無論是傳統(tǒng)車還是新能源車，隨著汽車上電子部件的增多，公司的Mos產(chǎn)品的單車用量也將持續(xù)提升，尤其是在新能源車上實(shí)現(xiàn)數(shù)倍增長。從業(yè)務(wù)優(yōu)勢來看，高生產(chǎn)效率，產(chǎn)品超低不良率，穩(wěn)定的頂尖客戶資源，符合車規(guī)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)等既是現(xiàn)有產(chǎn)品的核心競爭力，也是安世發(fā)展新業(yè)務(wù)，拓展新產(chǎn)品的重要基石，這些核心優(yōu)勢將在公司新產(chǎn)品的生產(chǎn)與銷售等環(huán)節(jié)中進(jìn)一步延續(xù)。同時(shí)，公司還成立了安世中國研發(fā)中心，加大研發(fā)投入，并通過收購具有車規(guī)級IGBT工藝能力的Newport晶圓廠進(jìn)行產(chǎn)能快速擴(kuò)充，在現(xiàn)有核心優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，又從研發(fā)，產(chǎn)能，工藝等方面進(jìn)一步構(gòu)建了公司發(fā)展IGBT業(yè)務(wù)的競爭壁壘。請投資者持續(xù)關(guān)注公司業(yè)務(wù)發(fā)展動態(tài)，相信公司在新產(chǎn)品新業(yè)務(wù)上的布局與投入未來將會給上市公司帶來可觀回報(bào)。

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