，趙一創新最近幾天宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產品系列，采用1.2mmtimes1.2mm USON6超小型塑封，在如此緊湊輕巧的空間內最大厚度僅為0.4mm，其功耗和電壓范圍進一步提升，為消費電子，可穿戴設備，物聯網，便攜式健康監測設備等應用提供了理想的選擇對電池壽命和緊湊設計有嚴格要求

如今，伴隨著5G，物聯網，AI等技術的不斷迭代，在筆記本相機，智能遙控器，智能健康手環等電池供電的應用場景中，趙一創新了和小靜追求從未停止，這就對其中使用的存儲產品提出了更高的要求

一方面，需要提供足夠的代碼存儲空間，以滿足設備的正常運行要求，另一方面，也需要在尺寸和功耗上精益求精，以適應電子設備小型化的趨勢。

針對這一市場需求，趙一創新推出的GD25WDXK6SPI NOR Flash產品系列采用僅1.2mmtimes1.2mm超小型USON6封裝，相比上一代1.5mmtimes1.5mm USON8封裝產品將電路板面積減少了高達36%，為空間有限的產品提供了更大的設計自由度。

在低功耗設計方面，趙一創新將GD25WDxxK6系列的功耗控制在非常低的水平待機狀態下，電流只有0.1mua，可以顯著延長電子設備的電池壽命

此外，為了滿足便攜式電子產品的存儲需求，GD25WDxxK6提供了單通道和雙通道SPI模式，具有1.65V~3.6V的寬電壓工作范圍，支持512Kb~4Mb不同容量的選擇最高時鐘頻率可達104MHz，具有10萬次擦寫壽命，有效數據存儲期可達20年全量程支持—40℃ ~ 85℃

目前，趙一創新GD25WDxxK6系列512Kb~1Mb容量產品已全面量產，2Mb~4Mb容量產品可提供樣片，預計8月中旬量產。

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