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昕原自行搭建的28/22nmReRAM12寸中試生產線就解決了上述問題

來源:TechWeb 作者:宋元明清 發布時間:2022-02-16 19:19   閱讀量:5002   

存儲芯片中除了NAND閃存及DRAM內存之外,還有多種技術選擇,ReRAM就是其中一種,其寫入壽命可達100萬次,此前主要是生產難度大,現在杭州昕原半導體主導建設了國內首條28/22nm ReRAM 12寸中試生產線。

昕原自行搭建的28/22nmReRAM12寸中試生產線就解決了上述問題

據杭州日報消息,昕原半導體主導建設的國內首條28/22nm ReRAM12寸中試生產線順利完成了自主研發設備的裝機驗收工作,實現了中試線工藝流程的通線,并成功流片。

傳統CMOS代工廠或因囿于資源所限,迭代速度較慢,從而影響工藝開發進度,而國內各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度,但沒有標準的12寸量產產線,實驗成果往往很難走向量產。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM12寸中試生產線就解決了上述問題汲取了代工廠和實驗室的長處,迭代速度快, 產線靈活,擁有自主可控的知識產權,使得ReRAM相關產品的快速實現變成了可能

作為大陸首條28/22nm ReRAM12寸中試生產線,我們產線的順利導通并完成產品的驗證和實現量產,將極大帶動我國新型存儲行業發展。

昕原半導體相關負責人表示,而在這一領域,目前國內外差距較小,壁壘尚未形成,為我國存儲器產業實現lsquo,彎道超車rsquo,提供了可能。

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