官方稱，這款MCR DIMM產品采用了新的方法來提高DDR5的傳輸速度雖然一般認為DDR5的運行速度取決于單個DRAM芯片的速度，但SK海力士的工程師在開發這款產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度，而不是單個DRAM芯片的速度

SK海力士技術團隊設計了基于英特爾MCR技術的產品，使用安裝在MCR DIMM上的數據緩沖區同時運行兩個內存條。

傳統的DRAM模塊一次只能向CPU傳輸64字節的數據，而在MCR DIMM模塊中，兩個內存列可以同時向CPU傳輸128字節的數據每次傳輸到CPU的數據量增加，數據傳輸速度提升到8Gbps以上，是單個DRAM的兩倍

該產品的成功開發得益于與英特爾和瑞薩電子的合作這三家公司在從開發到速度和性能驗證的所有階段都進行了密切合作

SK海力士DRAM產品企劃副總監劉認為，這種產品的成功開發有賴于不同技術的結合朱成說:SK海力士的DRAM模塊設計能力與英特爾優秀的至強處理器和瑞薩的緩沖技術相結合為了確保MCR DIMM的穩定運行，模塊內外的數據緩沖區和處理器能夠順利交互是必不可少的

數據緩沖器負責傳輸來自中間模塊的多個信號，服務器CPU負責接收和處理來自緩沖器的信號。

劉副總裁還表示:業界最快的MCR DIMM的研發充分展示了SK海力士DDR5技術的又一重大進步我們將繼續尋求突破技術壁壘，鞏固我們在服務器DRAM市場的領先地位

英特爾負責內存和IO技術的副總裁DimitriosZiakas博士表示，英特爾和SK海力士在服務器的內存創新，高性能和可擴展DDR5領域處于領先地位，同一梯隊還有一些其他主要的行業合作伙伴。

此次采用的技術來自于英特爾與關鍵行業合作伙伴多年的聯合研究，大大增加了英特爾至強處理器提供的帶寬我們期待這項技術應用于未來的英特爾至強處理器，并支持行業的標準化和多代發展

瑞薩電子副總裁兼內存接口部門負責人Sameer Kuppahalli表示，數據緩沖器從構思到生產經歷了三年時間我們非常自豪能夠與SK海力士和英特爾合作，將這項技術轉化為優秀的產品

據本站報道，SK海力士預計，在內存帶寬對高性能計算需求日益增長的推動下，MCR DIMM的市場將逐漸打開，該公司計劃在未來量產這款產品。

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