，據《Nikkei Asia》報道，瑞薩半導體今日宣布將進軍 SiC 功率半導體的消息，預計將在日本群馬縣的高崎工廠進行生產。

瑞薩社長柴田英利表示，雖然瑞薩較晚進入 SiC 功率半導體市場，但是之前瑞薩在硅基 IGBT 領域等也是較晚投入，現在產品性能已受到市場肯定，SiC 功率半導體也有望復刻 IGBT 領域的途徑。他同時指出，瑞薩進軍投入 SiC 功率半導體之后，日本在 SiC 功率半導體的市場占有率都有望進一步增長。

IT之家查閱相關調研報告獲悉，SiC 功率半導體在 2021 年市場規模高達 1400 億日元，預計到 2030 年將擴大到 3.4 萬億日元(當前約 1730.6 億元人民幣)。目前該領域主要玩家包括三菱電機、羅姆半導體、意法半導體和英飛凌等。瑞薩在財報中指出，來自中國、歐洲等地區旺盛的電動車消費推高了對 SiC、IGBT 等功率半導體的需求。

此外，瑞薩決定重新啟用于 2014 年關閉的山梨甲府工廠以生產 IGBT，已完成進行 12 寸晶圓產線的生產設備投資，預計 2024 年上半年量產。瑞薩表示，電動車用 IBGT 領域瑞薩已有 10% 份額，甲府工廠投產后有望進一步擴大市場占有率。

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